创新引智基地

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创新引智基地

“宽禁带半导体与微纳电子学创新引智基地”是我校2012年获批的,国家“十二五”首批高等学校学科创新引智计划新建引智基地。该基地以微电子学与固体电子学国家重点学科为牵引,以国家集成电路人才培养基地、国家级集成电路实验教学示范中心、“宽带隙半导体技术”国防重点实验室和“宽禁带半导体材料与器件”教育部重点实验室为平台,设立宽禁带半导体、微纳电子器件和系统芯片设计作为三个主要的研究方向。

“宽禁带半导体与微纳电子学创新引智基地”共有海外科研人员11 名,其中汇聚了以GaN 为代表的宽禁带半导体材料与器件研究方面,被誉为世界级大师的英国剑桥大学Colin Humphreys 教授为海外学术大师以及加拿大麦克玛斯特大学M.Jamal Deen教授和美国罗格斯大学Jianhui Zhang教授等学术专家为海外学术骨干。海外学术骨干的研究成果和研究水平在所属学科研究领域名列全球前20 位。

该引智基地国内科研骨干共 16 人,由本学科国内知名学者专家领衔,十余名博士生导师以及相关专业的具有丰富科研经验、学术造诣深厚的教师、科研人员组成建设团队,他们均有长时间的国外学习经历,同时与所邀请的海外成员有着长期的合作基础。

“宽禁带半导体与微纳电子学创新引智基地”的建立对我校具有传统优势的微电子学科有极大地推动和提高作用,在教育部和外专局的支持下,通过加强国际合作,力争在理论研究上获得重大创新成果,在关键技术上取得重要突破,提升西电微电子学科在国际相关领域的水平和地位,努力将本引智基地建设成为西部地区微电子领域具有示范作用的人才培养、科学研究和国际学术交流的合作创新基地。

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