科研概况

您当前的位置: 主页 > 科学研究 > 科研概况

科研概况

学院主要囊括三类科研方向,分为四个科研系。

三大科研方向

科研方向1:高性能集成电路设计

研究性能-功耗协同的集成电路基础科学问题,针对国家重大工程和产业需求,研制数据转换器和模拟射频前端处理器为代表的工程化芯片,建立工程化研制和验证平台,率先开展三维集成电路、芯片雷达、生物医电芯片的研究应用,开展高效功率集成电路和集成模块的产学研研究,形成国际一流的集成电路设计创新团队。团队获得2016年国家科技进步二等奖。

科研方向2:宽禁带半导体器件与材料

系统研究并提出了氮化镓、碳化硅宽禁带半导体材料生长机理、生长工艺、设备及材料性能表征等关键技术,形成了以高质量氮化镓材料生长设备、外延材料生长技术、MOCVD设备和碳化硅CVD外延技术、设备等核心成果,达到国际先进水平,获得2009国家技术发明二等奖。

在氮化镓微波效率器件、碳化硅电力电子器件和紫外光电器件领域取得了创新性的成果,器件性能指标达到国际先进水平,打破国外垄断地位,在通信、雷达等领域取得了重大应用。获得2015年国家科技进步二等奖。

科研方向3:新型材料和器件

国际上创新实现了高迁移率GeSn pnMOSFETs器件,其中空穴迁移率达到Si器件的5倍以上,为全面提升CMOS 电学性能提供了一种有效的技术途径。开展三维集成技术研究。超大晶畴石墨烯CVD制备:实现毫米级超大单晶畴,迁移率超过6000cm2/Vs,器件截止频率超过40GHz,处于国内领先。发表高水平论文30余篇,其中SCI一区15篇申请和获批美国专利3项,国内发明专利60余项,国内排名第三,陕西省石墨烯联合实验室(西电牵头,联合西工大、交大、西大),陕西省石墨烯产业技术创新战略联盟(发起筹备),陕西省第三代半导体产业技术创新战略联盟(发起筹备)

四大科研系

一系:微电子学系

杨银堂教授科研团队——研究方向包括集成电路与系统集成、低功耗模拟与混合信号集成电路设计、CMOS 射频集成电路设计、新型半导体器件技术。该团队为陕西省重点科技创新团队和西安电子科技大学优秀创新团队,由10名博士生导师、7名教授、11名副教授等构成。在国内外有广泛和显著的学术影响力,成果获国家科技进步二等奖 2 项,省部级一等奖 3 项。 

二系:微电路与器件系

郝跃院士科研团队——研宄方向以宽禁带半导体、新型半导体器件及可靠性、集成电路系统设计为主。该团队是国家首批国防科技创新团队、西安电子科技大学优秀创新团队,包括教授12名、副教授15(博士研宄生导师14),目前已成为国内外宽禁带半导体领域科学研宄、人才培养、学术交流、成果转化方面的重要基地。成果获国家技术发明等奖1,国家科技进步二等奖 2 项,省部级一等奖 6 项。

刘红侠教授科研团队——团队研究新概念纳米器件,宽禁带半导体材料与器件可靠性,集成电路光电芯片,神经元器件电路,覆盖材料,器件,工艺和集成电路设计。团队主要有5名教师。获得国防科技进步一等奖,二等奖和省部级科技奖励多项。

三系:集成系统工程系

庄奕琪教授科研团队——研究方向包括超宽带射频通信芯片设计、射频识别与物联网芯片设计、短距离无线通信系统集成技术、新型半导体器件与应用可靠性技术等。团队由 2 名博士生导师、9 名硕士生导师,承担并完成 36 项国家自然科学基金、重大专项、预研基金等项目。

四系:集成电路工程系

张玉明教授科研团队——主要从事碳化硅功率器件与材料、高性能新型半导体器件、化合物半导体超高速器件与集成电路等领域的研究。该团队成员由该团队成员由博士生导师8人,教授5人、副教授4人、讲师4人构成。所取得的研究成果在国内外具有广泛的学术影响力。 

胡辉勇教授科研团队——研究方向以高速半导体器件与集成电路为主,在超高速器件物理与模型、超高速集成电路设计与验证、硅基单片光电集成关键理论和技术等领域取得了显著进展和系统性的创新性成果。该团队主要成员有博士生导师2人,教授3名、副教授2名、高级工程师1名、讲师1名。同时,在电力电子与电力传动和凝聚态物理领域开展了卓有成效的研究工作,取得了有价值的理论与应用成果。

戴显英教授科研团队——主要研究方向包括硅基应变理论与技术、二维半导体材料与器件、半导体材料生长动力学、复合半导体技术、无线能量传输技术等。团队现有教师4名,包括教授1名,副教授1名,讲师2名。在国际核心刊物发表论文100多篇,获发明专利50多项,获教育部高校科研优秀成果奖等4项。

科研成果突出

近年来,科研工作取得重大突破,连续两年到校科研经费突破亿元,“大成果”、“大项目”不断涌现。“大成果”服务国家重大工程:郝跃院士团队成果“高效率氮化镓微波功率器件技术”应用于北斗导航卫星。“大项目”再获突破:2016-2018年,学院单项经费超过千万级以上的项目5项,其中,“XX二极管整流器件项目”,项目经费9994.78万元。

近年来牵头获得国家技术发明二等奖1项,国家科技进步二等奖2项。氮化镓基紫外与深紫外LED光电产业近三年实现直接经济效益7.1亿元人民币,间接经济效益9.7亿元人民币。高效率氮化镓微波功率器件近三年实现直接/间接经济效益合计约2.45亿元。碳化硅材料外延片在国内科研机构广泛应用验证。多层次低功耗芯片技术推动集成电路产业发展。向云南凝慧电子科技有限公司转让专利31项,支撑云南省氮化镓微波功率器件产业化10亿元规划项目。

学院以示范性微电子学院建设为目标,将依托原有的基础和优势,吸纳国际先进经验,以人才队伍建设为抓手,以科学研究为驱动,努力建设成为国际先进水平的微电子人才培养与科研相结合的基地。

西电微院微信公众号