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研究生国奖人物|任泽阳:立鸿鹄志 做奋斗者

日期:2018-12-29 12:02 点击量:

■通讯员 霍学浩 张金风

任泽阳,男,1991年出生,中共党员,山东枣庄人。2014年获得西安电子科技大学微电子学学士学位,以第一名成绩保送为本校微电子学院微电子学与固体电子学专业直博研究生,师从郝跃院士。攻读博士学位期间,以第一作者发表SCI检索论文7篇,三次获得校级“优秀研究生”称号,2017和2018年两次获得博士研究生国家奖学金。所在的宽禁带半导体团队荣获2016年度“三好三有”研究生导学团队荣誉称号。
 


 

立鸿鹄志 做奋斗者

2014年本科毕业时,怀着对微电子专业浓厚的兴趣,任泽阳毅然选择了保送攻读本校直博研究生,开启了通向科研之路的大门,并有幸成为了微电子专家、中国科学院院士郝跃教授的学生。在习惯了以前“读书、考试”的学习模式之后,一开始很难适应从“尽信书”到“不如无书”的学习方式的改变。在科研刚开始时,一头雾水,不知从何处下手。

在与郝老师的第一次入学谈话中,郝老师讲述的个人切身经历深深鼓舞了他,并且郝老师从微电子材料与器件发展面临的瓶颈出发,指明了科研努力的方向。宽禁带半导体材料与器件一直是他所在的宽禁带半导体实验室的重点研究方向,并已经在以氮化镓为代表的宽禁带半导体材料及器件领域取得了一系列国际领先的科研成果。金刚石具有更宽的禁带宽度,属于新一代的超宽禁带半导体材料,具有很大的高频、大功率器件应用潜力,但目前存在大量的技术难题亟待攻关。因此,任泽阳确立了以金刚石材料及器件为核心的科研目标。
 


 

学如登山 朝夕不倦

“争分夺秒,把丢失的时间夺回来”,郝老师的切身经历时刻激励着他。刚接触到金刚石这个研究方向,对于任泽阳来说,一切知识都是陌生的,同时研究生第一年课程学习任务也很重。因此,他开始抓紧除课程学习之外的每一分时间,广泛阅读文献,了解金刚石材料生长及器件的国内外最新研究进展,跟郝老师和课题组相关教师讨论,总结出金刚石发展的科学技术难题,确定了大面积金刚石单晶生长及高稳定性金刚石器件的研究方向。当时金刚石对于课题组来说也是全新的研究方向,他作为课题组第一位从事金刚石半导体材料相关研究的博士,从设备到材料生长,再到器件研制,一切都需要在探索中前进。好在金刚石的研究并非无源之水。课题组在氮化镓等宽禁带半导体材料和器件的研究过程中积累了丰富的理论和实验经验,建立了强大的科研平台。在导师和课题组老师的帮助下,他充分利用平台资源开展研究工作,奋发图强,在金刚石方向的研究进展非常迅速。

天道酬勤,一分耕耘,一分收获。经过自己坚持不懈的努力,任泽阳不仅在学习上取得了学位课平均分91.45的好成绩,而且科研上也取得了一系列国际先进的成果。生长出了最大边长达10 mm、也是国内公开报道的最大尺寸的电子级单晶金刚石,基于金刚石衬底成功研制了MoO3介质的高性能氢终端金刚石MOSFET器件,实现了低导通电阻和高跨导等特性。相关成果先后两次发表在微电子领域顶级快报IEEE Electron Devices Letters上,这是IEEE 期刊对中国金刚石电子器件(包括二极管、三极管、场效应管和探测器)研究的首次报道。
 


 

学无止境 勇攀高峰

学无止境,只有在科研的道路上奋勇前进,才能勇攀学术的高峰。

正如习总书记所说,“广大青年应该在奋斗中释放青春激情、追逐青春理想,以青春之我、奋斗之我,为民族复兴铺路架桥,为祖国建设添砖加瓦。”我们应该立鸿鹄志、做奋斗者。学在西电,报效国家,在新时代科技长征道路上披荆斩棘、奋勇前进,不断取得突破性的成果,为中华之崛起贡献自己的一份力量。



 

师长郝跃点评:

任泽阳同学聪明勤奋,在金刚石材料和器件方向取得了可喜的成绩,值得鼓励和赞扬。他的成长证明了我们的青年学者只要明确方向、勤奋务实、大胆创新,是一定能做出一流的成就的。