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郝跃院士科研团队

日期:2020-05-30 14:55 点击量:

团队带头人:郝跃院士

院士、教授、博士生导师。IEEE高级会员,中国电子学会常务理事,陕西电子学会、集成电路行业协会和陕西半导体照明协会理事长。国家重大专项实施专家组组长,总装微电子专家组组长,国家电子信息科学与工程专业指导委员会副主任委员。第九、十届全国政协委员和第十一届全国人大代表。国家重大基础研究 (973)计划项目首席科学家、国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的著名专家。

获得国家技术发明二等奖1项、国家科技进步二等奖2项; 2010年荣获“何梁何利”科学技术奖,两次入选科学中国人信息与电子类年度人物,2019年度陕西省最高科学技术奖获得者。

 

课题组简介

郝跃院士团队是国家首批国防科技创新团队、西安电子科技大学优秀创新团队,国内最早开展宽禁带半导体材料与器件研究的团队,在国内外有显著的学术影响力。

 主要研究方向包括:宽禁带半导体材料与器件、微纳米半导体器件与器件物理、SoC设计与设计方法学、半导体器件可靠性与失效物理等。

 研究团队拥有1200平米超净实验室,拥有从设备制造、材料生长、器件设计、工艺流片、可靠性测试分析的全套实验平台,设备价值1.2亿元,在国内高校首屈一指。 研究团队得到了国家科技重大专项、863计划、973计划、国家自然科学基金等多项重大项目的支持,经费充足,年均科研经费5000-9000万元。

 

研究成果、获奖及应用

1、GaN微波功率器件效率国际纪录保持者,国际GaN器件三大标志成果之一

2、国际上掌握MOCVD设备核心技术的少数几家机构之一

3、在低缺陷、多沟道、背势垒、InAlN等GaN异质结构材料指标国际领先

4、近五年获国家技术发明二等奖1项、国家科技进步二等奖2项、省部级奖10余项

5、近五年在高水平期刊上发表论文200余篇、授权国家发明专利150余项

6、核心技术在三家企业实现产业化,年产值上亿元

7、高效率GaN器件在国家重大工程中得到应用

 

研究领域及成员(标注*为博士生导师)

1、(超)宽禁带半导体材料与器件——郝跃教授*(中科院院士)、张进成教授*(长江学者)、马晓华教授*、杨林安教授*、冯倩教授* 、郑雪峰教授*、李培咸教授*(材料院)、陆小力教授* 、许晟瑞教授*、张金风副教授、王冲副教授*、毛维副教授* 、李康副教授、薛军帅副教授、周弘教授*

2、先进半导体器件及可靠性——郝跃教授*、马晓华教授*、韩根全教授*、刘艳副教授*

3、柔性与二维半导体材料与器件——郝跃教授*、张进成教授*、张春福教授*、常晶晶教授*、王东副教授、林珍华副教授*

4、SOC设计与设计方法学——郝跃教授*、马佩军副教授、史江义副教授

5、新型存储器件研究——郝跃教授*、郑雪峰教授*、常晶晶教授*、马晓华教授*

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