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​导师大讲堂 | 冯倩教授:宽禁带半导体Ga2O3材料与器件的研究进展

日期:2020-11-20 22:33 点击量:

 

(通讯员:陈明,郭强11月18日晚,微电子学院冯倩教授受邀为2018级微电子科学与工程专业全体学生讲授《微电子导师大讲堂》第十一讲——宽禁带半导体Ga2O3材料与器件的研究进展。

目前,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体越来越受关注,它们在未来的大功率、高温、高压应用场景将发挥传统硅基器件无法实现的作用。除了SiC和GaN,近年来,氧化镓(Ga2O3)进入了人们的视野。

冯倩从材料特点、材料生长方法等方面详细介绍了Ga2O3材料研究进展。她表示,Ga2O3导电性能和发光特性良好,广泛应用于气体探测器、荧光材料、紫外探测器、传感器及功率器件中。她指出,超宽的禁带宽度使得Ga2O3能够承受比Si、SiC和GaN更强的电场,此外氧化镓还能够承受更高的电压,这使得它在制造小型化、高效化大功率晶体管方面非常具有广阔前景。冯倩结合课题组科研项目介绍了Ga2O3肖特基二极管和MESFET器件的制备流程和工作原理。她强调,Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下,导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约器件工作时的电能损失,对国家提倡高效、节能、环保有着重要意义。

冯倩还介绍了我国集成电路产业面临的挑战与机遇。她表示,中美贸易摩擦以来,华为、中兴等公司先后受到美国政府的制裁,国内集成电路产业形成了“巧妇难为无米之炊”的态势——仅能进行集成电路设计,在制造芯片上却寸步难行。她指出,集成电路行业发展受阻,不仅仅体现在民用电子设备中,更是引起了国家安全层面的高度重视。她强调,在核心技术上受制于人是最大隐患,此次的芯片禁售凸显了掌握核心技术的重要性,唯有自力更生,才能开拓创“芯”。

据悉,为丰富学生知识体系,拓展专业视野,使学生更加深入了解学院科学研究方向,并提早为继续深造做好充足准备,微电子学院从2020年秋季学期开始为大三两个专业本科生分别开设了《微电子导师大讲堂》和《集成电路导师大讲堂》课程。课程分别由包括院士、长江学者、杰青等在内的32名教授、博导担任主讲,主要介绍技术热点、学术前沿、学习与科研方法与思路等,助力微电子学院多元化的人才培养。

 


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